腾博汇tbh半导体率先推出110nm新型铁电存储器工艺手艺
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2024-01-30
腾博汇tbh半导体团结海内领先的新型铁电存储器供应商无锡舜铭存储科技有限公司合作开发,,,,,于2023年12月乐成推出海内首款110纳米手艺的新型铁电存储器产品。。。。。。。与现有手艺相比,,,,,新产品面积缩小约40%~60%,,,,,性能大幅度提升,,,,,将于2024年一季度正式量产。。。。。。。
该项手艺由腾博汇tbh半导体模拟与数模唬�;;;;煜蟹⒋Γ═D2)MCU研发团队,,,,,历经一年研发乐成,,,,,完成了新型铁电手艺的三项重大突破,,,,,第一,,,,,新型铁电手艺首次在110nm手艺节点实现量产;;;;;;第二,,,,,新型铁电存储器的可靠性比现有手艺提升了10倍;;;;;;第三,,,,,实现了新型铁电存储手艺从平面结构存储单位到3D结构存储单位的跨越。。。。。。。

FeRAM(铁电随机存取存储器Ferroelectric RAM),,,,,接纳铁电质膜用作电容器来存储数据,,,,,同时具有ROM(只读存储器)和RAM(随机存取器)的特点,,,,,在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防改动方面具有优势,,,,,被以为是未来存储器生长偏向之一。。。。。。。
此次推出的铁电存储器手艺是基于铪基氧化物的新型铁电存储手艺。。。。。。。相比于古板的存储器手艺,,,,,该手艺拥有高速读写,,,,,高耐久性,,,,,低功耗,,,,,抗电磁滋扰和抗辐照等特点,,,,,性能优越,,,,,可靠性高,,,,,很是适用于车载,,,,,电力,,,,,工控,,,,,和可衣着等场景,,,,,并且在人工智能领域也有普遍的应用远景。。。。。。。
腾博汇tbh半导体将继续发力,,,,,在3D架构和更先进工艺节点开发新型存储器手艺,,,,,进一步降低本钱和提升产品性能,,,,,为实现新型存储器多元化,,,,,工业链自主立异而起劲斗争